目前，低溫等離子體微加工法已成為材料微納米加工的關(guān)鍵技術(shù)，它是光電，微機(jī)械，集成電路技術(shù)等制造技術(shù)的基礎(chǔ)。在VLSI制造過(guò)程中，氣相沉積，等離子汽提和干法刻蝕等近三分之一的過(guò)程需要低溫等離子技術(shù)的幫助。干蝕刻是重要的工藝流程之一。這是一種不可替代的過(guò)程，可實(shí)現(xiàn)從光刻模板到硅片的超大規(guī)模集成電路生產(chǎn)中精細(xì)圖案的高保真轉(zhuǎn)印。

在等離子干法刻蝕過(guò)程中，將生成大量的活性自由基，例如Cl*，Cl2*，F(xiàn)*和CF*。在嚴(yán)重的情況下，它們還會(huì)腐蝕等離子刻蝕腔的內(nèi)表面，影響刻蝕效果，引起污染，甚至導(dǎo)致刻蝕腔的失效。在1990年代的等離子體蝕刻設(shè)備中，通過(guò)陽(yáng)極氧化法制備的Al2O3（防腐蝕鋁膜）主要用作處理室部件的等離子體保護(hù)層。隨著芯片尺寸的增加，300mm數(shù)字集成電路生產(chǎn)線已成為主流處理技術(shù)，等離子功率也在不斷增加。Al2O3防腐鋁膜的壽命受到更高功率的限制，并且沒(méi)有足夠的耐CF4，SF6和O2的能力。和Cl2等大功率工藝中的等離子腐蝕。這可能會(huì)導(dǎo)致防腐蝕涂層脫落，等離子直接作用在鋁基板上，從而導(dǎo)致顆粒污染并增加設(shè)備維護(hù)成本。因此，有必要尋找一種新的材料和表面處理技術(shù)來(lái)滿(mǎn)足當(dāng)前刻蝕工藝的需要。

等離子噴涂廣泛應(yīng)用于各種技術(shù)領(lǐng)域，例如耐磨涂層，隔熱涂層，無(wú)定形涂層和耐腐蝕涂層。特別地，在等離子噴涂中解決了陶瓷粉末如Y2O3和硬質(zhì)合金粉末的噴涂問(wèn)題，該陶瓷粉末具有優(yōu)異的性能但具有極高的耐火性。研究表明等離子噴涂的Y2O3涂層對(duì)蝕刻工藝腔具有良好的保護(hù)作用。